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5月16日消息,此前英特尔已宣布完成了业界首台商用的高数值孔径(High NA)EUV光刻机的组装工作,并且有消息显示英特尔已经包下了ASML今年全部的High NA EUV光刻机的产能,但是相比之下,台积电却对于应用High NA EUV光刻机并不积极,其最新公布的A16(1.6nm)制程并不会采用该设备。

近日台积电业务开发资深副总经理张晓强表示,虽然对High NA EUV能力印象深刻,但设备价格过高(超过3亿欧元),因此台积电将使用目前的常规EUV设备再延续几年技术,包括A16制程。

张晓强指出,台积电现有EUV能力可支持芯片生产到2026年底,届时A16制程技术将根据目前路线图推出。

据介绍,A16将结合台积电的超级电轨(Super PowerRail)构架与纳米片晶体管,预计于2026年量产。相较于N2P制程,A16在相同Vdd(工作电压)下,速度增快8-10%,在相同速度下,功耗降低15-20%,芯片密度提升高达1.10倍,以支持数据中心产品。

而英特尔为了实现在制程工艺上领先台积电目标,正非常积极的尝试最新的High NA EUV光刻机,预期将会被用于Intel 14A制程的量产。而预计在2025年商用的Intel 18A仍将继续采用常规的Low NA EUV光刻机,以达到最佳的制程技术平衡与成本效益。

英特尔表示,High-NA EUV可减少掩膜数量,提高分辨率并简化芯片制造制程。掩膜包含芯片设计,旧款机器需要依赖更多掩膜,来产生更高分辨率的芯片。

编辑:芯智讯-浪客剑

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