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在半导体行业谣言四起的这个月,来自韩国的最新报道显示,AMD 可能会与三星合作,购买后者的 3 纳米半导体制造工艺技术。三星和台积电是世界上唯二为 AMD 和英伟达(NVIDIA)等公司提供现成芯片生产线的公司。它们的最新工艺都是 3 纳米节点,虽然名称相似,但晶体管的设计却不同。台积电计划在未来使用纳米片晶体管,其产品则依赖于可靠的 FinFET 工艺。

相比之下,三星为客户提供了使用更新的全周栅极(GAAFET)晶体管的能力,这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动,但也有一些缺点。

据《韩国经济日报》报道,三星和 AMD 预计将深化合作,利用 3 纳米工艺技术生产下一代芯片。目前,由于只有苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电生产的芯片,因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。

三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同,因为它使用的是栅极环绕(GAAFET)晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管设计,优于 FinFET,它允许设计人员改进电流量,因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。

GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率,但其较小的面积限制了它们在某些产品(如应用处理器)中的应用。另一方面,纳米片允许更多电流流过,但传导效率却有所降低。

三星代工厂的图表显示了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变过程。 图片:三星电子

报道援引 AMD 首席执行官苏姿丰(Lisa Su)最近在比利时举行的一次会议上分享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的观点,证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道,苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产 AMD 下一代产品的计划。

由于三星是世界上唯一一家生产 3 纳米 GAAFET 产品的公司,分析家们认为,苏的评论是这家韩国公司生产 AMD 新芯片的线索,他还认为 3 纳米 GAAFET 在性能和效率方面都优于以前的技术。

合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位,而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术,以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。

英特尔正在研究名为高 NA EUV 的先进芯片制造设备,看能否降低制造成本和复杂性。另一方面,三星不仅比台积电更早开始生产 3 纳米产品,还在其产品路线图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管,试图从台湾公司手中夺走 3 纳米产品的市场份额。

另一方面,台积电多年来一直强调可以使用传统的 EUV 机器制造芯片,并宣布将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果,因为这些晶体管越小,制造商在制造 FinFET 时就越困难。

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