台积电路线图一览：N3X、N2P、A16 将于 2025/20

台积电上周宣布，该公司将于今年晚些时候开始大批量生产其 N3P 制造工艺，这将是该公司一段时间内最先进的节点。明年的情况将变得更加有趣，因为台积电将拥有两种工艺技术，当它们在 2025 年下半年进入大批量生产（HVM）时，实际上可能会产生内部的相互竞争。

*台积电公布的芯片密度反映了由 50% 逻辑、30% SRAM 和 20% 模拟组成的"混合"芯片密度。

**面积相同。

***速度相同。

生产节点包括 N3X（3 纳米级，注重极高性能）和 N2（2 纳米级）。台积电表示，与 N3P 相比，N3X 芯片通过将 Vdd 从 1.0V 降至 0.9V，可在相同频率下将功耗降低 7%，在相同面积下将性能提高 5%，或在相同频率下将晶体管密度提高约 10%。同时，与前代产品相比，N3X 的主要优势在于其 1.2V 的最高电压，这对于桌面或数据中心 GPU 等超高性能应用非常重要。

台积电的 N2 将是台积电首个使用全栅极（GAA）纳米片晶体管的生产节点，这将显著提高其性能、功耗和面积（PPA）特性。与 N3E 相比，在 N3 上生产的半导体可将功耗降低 25% - 30%（在晶体管数量和频率相同的情况下），将性能提高 10% - 15%（在晶体管数量和功耗相同的情况下），并将晶体管密度提高 15%（在速度和功耗相同的情况下）。

就功耗和晶体管密度而言，N2 肯定是台积电无可争议的冠军，但就性能而言，特别是在高电压下，N3X 有可能向其发起挑战。对于许多客户来说，N3X 还将因使用成熟的 FinFET 晶体管而受益，因此在 2025 年下半年，N2 不会自动成为台积电最好的节点。

2026: N2P 和 A16

下一年，台积电将再次推出两个节点，分别针对大致相同的智能手机和高性能计算应用：N2P（性能增强型 2 纳米级）和 A16（具有背面功率传输功能的 1.6 纳米级）。

与最初的 N2 相比，N2P 的功耗有望降低 5%-10%（速度和晶体管数量相同），性能提升 5%-10%（功耗和晶体管数量相同）。同时，与 N2P 相比，A16 的功耗最多可降低 20%（速度和晶体管数相同），性能最多可提高 10%（功耗和晶体管数相同），晶体管密度最多可提高 10%。

考虑到 A16 具有增强的背面功率传输网络，它很可能成为注重性能的芯片设计人员的首选节点。当然，由于背面功率传输需要额外的工艺步骤，因此使用 A16 的成本会更高。