英特尔和软银合作开发高能效HBM替代品：面向AI

据相关媒体报道，英特尔与软银集团合作成立Saimemory，以基于英特尔技术和日本学术界（包括东京大学）的专利构建原型，打造HBM替代品。其目标是2027年完成原型涉及和大规模生产可行性评估，在2030年之前实现商业化。

目前大多数AI芯片都使用HBM作为高带宽存储芯片，非常适合临时存储AI GPU处理的大量数据。可是HBM制造复杂且相对昂贵，另外功耗较高，容易发热。英特尔和软银集团旨在找出一种更高效地连接方法来堆叠DRAM芯片，解决HBM存在的问题，希望能将传统堆叠式DRAM芯片的功耗减少了一半。

目前只有三家存储器制造商生产HBM，分别是三星、SK海力士和美光，但是市场对人工智能的需求使得HBM一直处于供应紧张的状态。如果Saimemory可以提供替代品，不但能满足市场需求，而且能打破垄断。另外还有一点，就是满足日本在数据中心上的建设需求，提供高效率、高性能、高质量的组件，并降低整体建造成本。

软银集团是Saimemory的主要出资方，同时日本理化学研究所与神港精机也在考虑资金或技术上的参与，该项目也得到了政府的支持。