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“若前方无路,我便踏出一条路!若天地不容,我便扭转这乾坤!”——《哪吒之魔童闹海》。

01

台积电正式“断供”大陆IC企业

日前,台积电正式向大批中国大陆芯片设计公司发出断供通知,并且16nm、14nm工艺也严格限制使用!

根据通知,2025年1月31日起,如果16/14纳米及以下制程的相关产品,不在美国商务部工业与安全局白名单中的“approved OSAT”进行封装,而且台积电没有收到该封装厂的认证签署副本,这些的产品将被暂停发货!

媒体向多家受到影响的 IC 设计公司求证,多位公司高管均表示消息属实。不少公司表示,目前的确需要将规定内的芯片转至美国 approved 封装厂做封装。对于那些事先已有该封装厂账号的公司而言,受到的影响相对较小;而那些没有账号的公司,则面临着严重影响交货时间的困境。


approved OSAT

显然,台积电这是在紧密配合美国1月份公布的最新出口管制禁令。根据BIS公布的最新清单,获得批准的IC设计公司有33家,都是知名的西方半导体企业。

在approved OSAT名单中获得批准的半导体封装测试企业,一共有24家,包括大家耳熟能详的日月光、格芯、Intel、IBM、力成科技、三星、台积电、联电等等。

此外,知情人士透露一些中国 IC 设计公司还被要求将部分敏感订单的流片、生产、封装和测试全部外包,并且IC设计公司在整个生产流程中不能进行干预。这一系列要求无疑给中国 IC 设计公司带来了巨大的挑战。

02

1月芯片制裁开始落地

台积电凭啥“断供”,故事可以追溯至今年1月份的美文件。

2025年1月13 日,美国商务部工业和安全局 (BIS)正式发布关于人工智能扩散的临时最终规则,该规则将接受为期120天的公众意见征询。这项规定不仅涉及硬件的出口管制,还首次将 A1 模型权重纳入监管范围。新规对不同国家和地区可运送的 A| 芯片数量进行了限制,将全球分为三类,划定了一个三级出口限制许可体系:

·第一层级:美国及其 18个亲密盟友(包括英国、加拿大、德国、日本、韩国、荷兰等)不受任何限制,可以自由购买 A 芯片。

·第二层级:覆盖全球大部分国家,这些地区在 2025 至 2027 年间能获得的 Al 算力上限被设定为 7.9 亿 TPP(Total Processing Performance,总处理性能),相当于约 5万块英伟达 H100 GPU 的算力,但可通过与美国政府达成特殊协议来增加总量。

·第三层级:中国大陆、俄罗斯、朝鲜等国家及地区,受到先前存在的 Al 芯片采购禁令约束,被禁止购买先进芯片和前沿的闭源 A1模型。


美国将全球国家和地区分为3个等级

在最终规则中,总处理性能 (TPP )和性能密度限制阻止多款AI芯片出口中国。


美国发布的“人工智能扩散临时最终规则”

ECCN 3A090.a的范围为“总处理性能为 4800或以上”或“总处理性能为 1600或以上,且性能密度为 5.92或以上”,3A090.b的范围为“总处理性能为 2400-4800 以下,且性能密度为 1.6(包含本数)至 5.92 以下(不包含本数)”或“总处理性能为 1600 或以上,且性能密度为 3.2(包含本数)至5.92以下(不包含本数)”。

总处理性能(TPP)的计算方法为算力芯片的TFLOPS乘以其比特长度,而性能密度是 TPP 除以芯片尺寸。根据 SemiAnalysis 计算,目前主流Al 芯片和即将推出的 A| 芯片均在新规出口管制范围内。


主要AI芯片TPP 值以及是否在 ECCN 3A090.a

而随着制裁的升级,BIS在2025年1月15日发布了另一项临时最终规则——“对先进计算集成电路实施额外尽职调查措施;修订和澄清:延长评论期”。该规则不仅加强了对芯片流片的管制,还进一步通过修改高带宽存储(HBM)相关管制标准来将原来的限制扩大管控范围。

该规则加强了对台积电等代工厂和封测厂(OSAT)的尽调责任。先进逻辑集成电路是指采用“16nm/14nm 节点”及以下工艺、或采用非平面晶体管架构生产的逻辑集成电路,任何适用于这一范围的芯片都将受限。但如果能证明芯片符合几项条件,则流片可以不受限制:(1)最终封装 1℃ 的“汇合近似晶体管数量”低于 300 亿个;(2)最终封装 IC 不包含HBM,且“汇合近似晶体管数量”低于 350 亿个(在 2027 年完成出口、再出口或国内转移 ),或“汇合近似晶体管数量”低于 400 亿个(在 2029 年或之后完成出口、再出口或国内转移)。


16nm及以下制程占台积电收入 77%(2024 年)

看到这里相信不少人会疑惑,为何台积电“断供”会让IC厂商受到较大影响呢?这就不得不从IC设计厂商和OSAT厂之间的关系谈起。

在全球半导体产业的价值链中,集成电路设计(IC设计)厂商与外包封装测试(OSAT,Outsourced Semiconductor Assembly and Test)厂之间的关系,既是分工协作的典范,也是技术演进与商业模式变革的缩影。

20世纪80年代之前,半导体行业以IDM(Integrated Device Manufacturer,垂直整合制造)模式为主导,企业从芯片设计、制造到封装测试全流程自主完成。但随着技术复杂度提升和市场需求多样化,产业链逐渐走向分工。IC设计厂商专注于芯片架构与功能定义,而OSAT厂则凭借规模效应和工艺专长,承担起封装测试的重任。

这种分工的底层逻辑在于成本效率与技术专精的平衡。IC设计公司通过外包封装测试,避免了重资产投入,能够灵活响应市场变化;而OSAT厂通过服务多家客户,摊薄了先进封装产线的巨额投资风险。

IC设计厂商的核心竞争力在于其强大的研发能力和创新能力,能够不断推出满足市场需求的新产品,人们熟悉的苹果、高通、海思和联发科等知名企业,都是IC设计领域的佼佼者,它们的产品广泛应用于智能手机、通信、消费电子等多个领域。

而OSAT厂则专注于半导体产品的封装和测试环节,是半导体产业链中的中游领域。它们为IC设计厂商提供关键的封测服务,确保每一个芯片在交付给客户之前都是符合标准、可以工作的。OSAT厂的封测技术和服务质量对于半导体产品的性能和可靠性至关重要。在半导体产业中,OSAT厂扮演着承上启下的重要角色,它们将IC设计厂商的设计成果转化为实际可用的产品,并为后续的制造和应用提供有力支持。

经过多年的发展,OSAT厂技术其实也在拉开距离。以超高密度扇出封装( ultra-highdensityfan-out,UHDFO)、2.5Dintemposer,3Dstackedmemories.embedded Sibrdge 和 hybrd bonding为代表的高端封装技术基本掌握在世界头部封测企业(OSAT)、先进的晶圆代工厂和IDM 手中,如日月光、安靠、台积电、三星、长电科技和英特尔等,台积电无疑是其中的佼佼者。


半导体封测头部大厂在先进封装领域的技术节点布局

台积电目前在高端先进封装领域占据领先地位,尤其是在内存市场,早在 2012 年就率先推出了 CoWoS。随后,台积电护展了其高端封装产品组合,推出了 3DSoIC、IFO SoW等新产品,以及源自 InFO 系列的大量高密度扇出型变体以及新颖的CoWoS迭代。

而英特尔则在2022 年成为先进封装领域最重要的投资者,这是其IDM 2.0 战略的一部分,该战略旨在整合 EMIB、Foveros 和CO-EMIB 等封装解决方案,同时提高其功效。另一个半导体大厂三星则除了扇出面板级封装和硅中介层外,还为其HBM 和 3DS产品线提供先进封装解决方案。


台积电在先进封装技术上保持领先

根据Yole 数据,2023 年先进封装的capex 约 99 亿美金,其中台积电和英特尔占比并列第一(31%),其次是三星( 20%)。

看懂了这些后会发现,如果国内IC厂商设计的芯片需要使用新进封装工艺,自然绕不开台积电、英特尔、三星等巨头,即便是国内长电科技、通富微电能实现满足部分芯片高端封测需求,产能恐怕也不好满足。

03

点评:半导体国产替代进入深水区

接二连三的制裁下,国产半导体产业反而有机会迎来高速发展周期。

以台积电核心的晶圆业务为例,根据Counterpoint Research 的数据,2024年一季度,晶圆代工行业的收入份额按技术节点划分显示出显著变化,这受制于不同行业需求的差异,16nm 及以下制程收入占比达51%,其中16114/12nm、7/6nm、5/4nm和 3nm 分别占 7%、12%、26%和 6%,5/4nm 节点凭借强劲的人工智能需求占据主导地位。

显然,若美国 BIS 将制裁范围扩大至 16nm 及以下制程节点,涉及的厂商、应用、订单量更多,或将影响全球晶圆代工格局,而国内代工厂有望受益国产替代趋势,承接产能回流,扩大市场份额。

在具体的市场表现师行,根据 statista 和 TrendForce数据,台积电一直处于全球晶圆代工市占率第一的位置,2024年三季度的市场份额为 64.9%。受益于半导体国产替代趋势和国内智能手机新机 OLED DDI、CIS 等周边 IC 拉货需求,同期中芯国际市占率达到 6.0%,排名跃至全球第三。华虹集团市占率 2.2%,排名第六,合肥晶合市占率 0.9%,排名第十。


全球前十大晶圆代工营收占比

晶圆之外,封装厂作为此次台积电“断供”的“七寸”,国产厂商同样在封装领域持续前行。

国内封测企业按照技术储备、产品线情况、先进封装收入占比等指标,一般可分为三个梯队:第一梯队企业已实现第三阶段焊球阵列封装(BGA)、栅格阵列封装(LGA)、芯片级封装(CSP)稳定量产,且具备全部或部分第四阶段封装技术量产能力(如 SiP、Bumping、FC),同时已在第五阶段晶圆级封装领域进行了技术储备或产业布局(如 TSV、Fan-Outhn)国内独立封测第一梯队代表企业有长电科技、通富微电、华天科技等。

目前国内传统封测大厂加码布局先进封装平台项目,如长电科技深化XDFOI 技术平台、华天科技构建 HMatrix 封装技术平台、通富微电主攻 2.5D/3D Chiplet 技术平台、甬矽电子布局 HCOS 多维异构平台项目等。


半导体封装领域的五个发展阶段及国内梯队

于此同时,新晋玩家也在试图借助某一个技术路线站稳国内先进封装市场一席之地,如芯德科技打造以扇出为主的 CAPiC 晶粒及先进封装技术平台、厦门云天半导体聚焦玻璃基封装技术方向、广东佛智芯聚焦板级封装技术方向,新晋企业正试图以点带面实现对头部企业的曲线竞争。

显然,只要给予足够的时间,相信无论是晶圆还是封装,乃至整个半导体产业链,国产化一定能取得胜利!


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编辑|张毅

审核|吴新

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